第三代半导体资料：碳化硅SiC工业整理

时间: 2024-04-02 15:16:11 |   作者: 新闻中心

  半导体资料按历史进程可分为：榜首代（高纯度硅），第二代（砷化镓、磷化铟），第三代（碳化硅、氮化镓）。

  碳化硅（SiC）是第三代半导体资料的中心。相较于前两代资料，碳化硅具有耐高压、耐高温、低损耗等长处。

  根据碳化硅资料的半导体器材首要运用在于新能源车、充电设备、通讯设备、家电及工业范畴。

  关于碳化硅职业而言，商场现在受制于产能缺乏、良率低，现在全体商场规模较小。

  碳化硅在半导体中的首要方式是作为衬底资料。衬造是碳化硅工业链技能壁垒最高、价值量最大的环节。

  （1）半绝缘型SiC衬底：Wolfspeed、II-VI、天岳先进鼎足之势，算计市占率98%。

  （2）导电型SiC衬底：Wolfspeed、II-VI、罗姆鼎足之势，算计市占率90%。

  碳化硅衬底技能难度高，国内具有技能储备和量产才能的公司较少，首要厂商包括三安光电、晶盛机电、天岳先进、露笑科技等。

  天岳先进：国内榜首，全球第三多半绝缘型SiC衬底厂商，产品有半绝缘型和导电型碳化硅衬底。

  碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上成长一层与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。

  碳化硅器材不行直接制造于衬底上，需先运用化学气相堆积法在衬底外表生成所需薄膜资料，即构成外延片，再进一步制成器材。

  全球碳化硅外延厂商有昭和电工、II-VI、Norstel、Wolfspeed、Rohm、三菱电机、罗姆等。

  三安光电：国内最大全色系LED芯片出产企业，以砷化镓、氮化镓、碳化硅等半导体新资料所触及的外延片、芯片为中心主业。

  碳化硅器材首要运用在于高压、大功率范畴，下流包括新能源车、光伏、储能、充电桩、电源PFC、UPS等。

  全球碳化硅器材首要厂商包括：英飞凌、意法半导体、安森美、罗姆。国内碳化硅器材厂商最重要的包括斯达半导、年代电气、扬杰科技、新洁能、双良节能、闻泰科技、华润微、士兰微等。

  斯达半导：国内IGBT模块龙头，全球前十的IGBT模块供货商。已量产光伏SiC器材及车规SiC模块；投建全SiC功率模组工业化项目。

  士兰微：国内功率半导体IDM大厂，MOSFET、IPM模块国内市占率抢先。公司事务包括分立器材、集成电路、发光二极管三大类。

  华润微：国内功率半导体IDM大厂、MOSFET龙头厂商。具有国内抢先的SiC出产线，SiC二极管产品已量产。

  闻泰科技：旗下安世半导体为全球抢先的功率半导体IDM厂商，小信号二极管、小信号MOSFET全球榜首、功率分立器材全球第六。全力开展氮化镓和碳化硅技能。