【48812】半导体资料电阻率

时间: 2024-05-28 08:27:05 |   作者: 家居及玩具

  半导体的电阻率在室温时坐落金属与绝缘体之间，通常在1mΩ·cm到1GΩ·cm之间（谢嘉奎《电子线倍的数值）。

  关于各向异性的晶体，电导率是一个二阶张量，共有27个重量；而Si之类具有立方对称性的晶体，电导率则可以用一个标量的常数来表明（其他二阶张量的物理量也是如此）。电阻率与晶体的晶向有关。

  半导体载流子的电阻率σ取决于载流子浓度n和载流子迁移率μ，即σ=1/nqμ。当掺杂浓度不均匀时，可以运用均匀电导率的概念。在不同的分散浓度散布（如高斯散布和余差错散布）情况下，现已推导出均匀电导率与分散杂质表面浓度的联系曲线，供查询参阅。

  温度对电阻率的影响取决于载流子浓度和迁移率随温度的改变。低温下，跟着施主或受主杂质的电离，载流子浓度呈指数式增大，而由于电离杂质散射效果削弱，迁移率也随之增大，因而电阻率会随温度上升而下降。抵达室温时，由于杂质已彻底电离，载流子浓度不再改变，但是由于晶格振荡加重，导致声子散射增强，迁移率会随温度上升而下降，这会升高电阻率。而抵达高温下，本征激起开端起效果，载流子浓度会以指数方式飞速添加，使得电阻率跟着温度的升高而再次下降。

  半导体器材的最高作业时分的温度取决于半导体掺杂浓度，若要求器材具有更高的温度稳定性，则其掺杂浓度就需要更大。这是由于，跟着掺杂浓度的增大，大都载流子浓度也相应添加。而当温度上升至某一个以上，这个温度也便是pn结开端本征激起起及其重要的效果的温度，即电阻也因而下降，pn结也不再存在，然后确认半导体器材的最高作业时分的温度。回来搜狐，检查更加多