半导体资料的特性

时间: 2023-12-29 13:34:14 |   作者: 家居及玩具

  半导体资料是一类具有半导体功用，用来制作半导体器材的电子资料。常用的重要半导体的导电机理是经过电子和空穴这两种载流子来完成的，因而相应的有N型和P型之分。半导体资料一般具有必定的禁带宽度，其电特性易受外界条件（如光照、温度等）的影响。不同导电类型的资料是经过掺入特定杂质来制备的。杂质（特别是重金属快分散杂质和深能级杂质）对资料功用的影响尤大。

  因而，半导体资料应具有很高的纯度，这就不只要求用来出产半导体资料的原资料应具有适当高的纯度，并且还要求超净的出产环境，以期将出产的悉数进程的杂质污染减至最小。半导体资料大部分都是晶体，半导体器材关于资料的晶体完整性有较高的要求。此外，关于资料的各种电学参数的均匀性也有严厉的要求。

  半导体资料是室温下导电性介于导电资料和在答应电压下不导电的资料之间的一类功用资料。靠电子和空穴两种载流子完成导电，室温时电阻率一般在10-5～107欧米之间。一般电阻率随温度上升而增大；若掺入活性杂质或用光、射线辐照，可使其电阻率有几个数量级的改变。

  此外，半导体资料的导电性对外界条件（如热、光、电、磁等要素）的改变十分抱头鼠窜，据此能够制作各种抱头鼠窜元件，用于信息浓艳。

  半导体资料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿数和位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决议，反映组成这样一种资料的原子中价电子从捆绑状况激发到自在状况所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映资料的导电才能。

  非平衡载流子寿数反映半导体资料在外界效果（如光或电场）下内部载流子由非平衡状况向平衡状况过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类缺点。位错密度用来衡量半导体单晶资料晶格完整性的程度，关于非晶态半导体资料，则没有这一参数。

  半导体资料的特性参数不只能反映半导体资料与其他非半导体资料之间的不同，更重要的是能反映各种半导体资料之间乃至同一种资料在不一样的情况下，其特性的量值不同。