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时间: 2024-01-04 12:21:06 | 作者: 汽车零部件
专利摘要显现，本请求触及一种绝缘体上硅结构及其制备办法，包含：绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底包含埋氧层，埋氧层内埋设有榜首栅极；晶体管结构，坐落绝缘体上硅衬底上，晶体管结构包含有源层及第二栅极，第二栅极与榜首栅极在绝缘体上硅衬底的正投影存在交集，且交集区域坐落有源层在绝缘体上硅衬底的正投影内部，第二栅极电衔接至榜首栅极。本请求将坐落埋氧层内的榜首栅极同第二栅极进行衔接，使得二者电位相同，从而到达对体区电势的操控，有实际效果的削减浮体效应。一起，能够使得栅极电压关于电子沟道的操控回到线性。